d\fs16\lang1036 Transistor bipolaire à grille isolée IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

Sa caractéristique d'entrée est semblable à celle d'un transistor à effet de champ à blocage automatique (MOSFET) et sa caractéristique de sortie à celle d'un transistor bipolaire de puissance.

Avec diode rapide en parallèle inverse et circuit de protection RCD déconnectable.

Cette plaque est utilisée dans des montages d'application à haute fréquence de commutation sous tension élevée: hacheurs, alimentations à découpage, onduleurs autonomes.



Tension maximale collecteur-émetteur (U CEV ): max. 1000 V

Courant collecteur (I C AV ): max. 10 A

Tension de saturation collecteur-émetteur (U CE SAT ): 3,5 V

Capacité d'entrée grille-émetteur (C GE ): 1,8 nF

Poids: 0.55 Kg
Delai de livraison estimé : 12 semaines